ジェイテクト、SiCパワー半導体向け熱処理装置として新製品2機種を開発

ジェイテクトは12月5日、同社グループ会社のジェイテクトサーモシステムが、SiCパワー半導体特有の熱処理工程であるコンタクトアニールおよび活性化アニール向け熱処理装置の2機種を開発したことを発表した。

同社は、これまでも真空状態やN₂雰囲気下でのウェハ搬送が可能なコンタクトアニールシステム「RLA-4100-V」および「RLA-3100-V」をSiCパワー半導体製造現場に提供してきたが、これらの熱処理装置は枚葉式であり、スループットの向上が求められていたという。そうしたニーズを受けて新たに開発されたコンタクトアニールシステム「RLA-4200-V」は、従来のRLA-4100-Vでは加工用プロセスチャンバが1台であったのに対して、2台に増設。2チャンバ化による熱処理性能の倍増に加え、搬送機構の見直しを図ることで、従来機比で生産性を2～2.4倍に向上させることに成功したという。また、本体設置面積についても、従来機を2台設置する場合と比べて24％削減できる省フットプリントを実現したとする。