豊田中央研究所、SiC結晶生成用の黒鉛ルツボ劣化を抑制する成膜技術を開発

豊田中央研究所は11月27日、パワー半導体材料となるSiC(炭化ケイ素)の結晶生成を行う黒鉛ルツボの劣化を抑制する炭化タンタルの厚膜コーティング技術「SinTaC」を開発したことを発表した。

黒鉛ルツボの再利用を可能にするコーティング技術「SinTaC」

SiCの製造プロセスにおいては、高価な黒鉛ルツボを用いて目的の場所に単結晶を生成・成長させる。この際、2000℃以上の高温に加熱されるとともに、発生するガスによって黒鉛ルツボが腐食し劣化するうえ、黒鉛ルツボの内面にSiC結晶が固着してしまうため、黒鉛ルツボの使用は1度限りで廃棄されていたという。

今回豊田中央研究所は、黒鉛ルツボ全体にSinTaCの厚膜コーティングを施すことで、耐腐食性が向上することを確認したとのこと。また黒鉛ルツボの内面に追加処理を施すことで、SiCが付着してもはがれやすくなり、固着を抑制する効果も併せて確認したとする。