Tower Semiconductorは11月26日、300mmシリコンフォトニクス(SiPho)プロセスを自社の標準ファウンドリ製品としてリリースすると発表した。
同プロセスは、すでに提供されている同社の200mm(PH18)プラットフォームを補完するもので、次世代データ通信市場における高まる高速データ通信ニーズを満たすカスタマイズされた先端ソリューションを提供することを可能にするという。
提供される技術としては、業界トップクラスのシリコン導波路と先端の低損失シリコン窒化物導波路製品があり、300mmウェハと相まって後工程における互換性の向上により、電子部品とのシームレスな統合を容易化させるとしている。