ダイヤモンド半導体スタートアップのPDS、第三者割当増資で7億円を調達

ダイヤモンド半導体の特性は注目されているSiCやGaNを上回っており、究極のパワー半導体材料とも言われてきたが、実用化にはまだ多くの課題を解決する必要がある。そうした中、PDSではダイヤモンドMOSFETにおけるドレイン電流の世界最高値を更新するとともに、酸化シリコン終端構造を採用したノーマリ・オフ型ダイヤモンドMOSFETの開発に成功するなど成果を挙げており、そうした研究開発が進展していること、ならびに九州工業大学との連携など、複数の国内大学と連携した体制による開発体制の構築などが評価され、今回の投資が行われるに至ったという。