住友化学は11月20日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)の2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」における「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウェハの開発」に関する事業に採択されたことを発表した。
GaN on GaNウェハは、従来のSi基板やサファイア基板、SiC基板の上にGaN層を成長させる手法とは異なり、GaN基板の上にGaN層を成長させることで、従来以上の電気特性や熱特性、品質の改善が期待される技術だが、基板サイズがほかの2種類の手法と比べて小さく、商用化にあたっては基板サイズの大型化が求められていた。
同社では高品質かつ低コストの6インチウェハの量産技術の実現を目指した研究開発を進めてきており、今回のプログラムでは、GaN基板に対してはGaN結晶の長尺化、種結晶の高品位化、3次元成長技術などによる収率向上や品質向上に取り組むとしているほか、エピタキシャル層(GaN成長層)についても、独自技術であり、従来のMOVPE法(有機金属気相成長法)と比較してコスト優位性を持つとともに、原料ガスの供給量を容易に増やすことができることからエピタキシャル成長速度が従来比で10倍以上に早められる「ハイドライド気相成長法(HVPE法)」による量産化に取り組むとしている。