Samsung Electronicsは4月23日、同社の第9世代V-NAND技術を適用した1TビットのTLC NANDの量産を開始したと発表した。2024年後半には、QLCの量産も開始する予定だという。

  • 第9世代V-NANDを採用した1TビットTLCチップ

    第9世代V-NANDを採用した1TビットTLCチップの外観 (出所:Samsung)

同社によると第9世代V-NANDは、セルサイズの縮小などにより前世代比でビット密度を約50％向上させることに成功したとしており、セル干渉の回避やセル寿命の延長などの新しいイノベーションの採用により、製品の品質と信頼性を向上させつつ、ダミーチャネルホールの排除によりメモリセルの平面面積の縮小を実現したという。

また、セル層数の増加につれて、より多くのセル層を貫通することが求められ、より高度なエッチング技術が必要になることから、同社では独自の「チャネルホールエッチング」技術を採用してモールド層を積層することで、多数のセル層を同時に穴あけすることを可能とし、製造時の生産性を向上させたともしている。

さらに、第9世代V-NANDでは、データの入出力速度を33％向上させ、最大3.2Gbpsまでサポートする次世代NANDフラッシュインタフェース「Toggle 5.1」を採用するほか、PCIe 5.0のサポートを拡大することで、高性能SSD市場における地位をさらに高めていくとしているほか、消費電力も設計技術の向上により、前世代比で10％の改善を果たしたとのことで、省エネ化や炭素排出量削減に対するニーズにも応えられるソリューションとなることが期待されるともしている。

なお、同社のフラッシュメモリ製品および技術責任者のスンホイ・ハー(SungHoi Hur)氏は、「我々は、将来のアプリケーションに飛躍をもたらす第9世代V-NANDを提供できることに興奮している。NANDソリューションに対するさまざまなニーズに対応するために、これまで次世代製品のセルアーキテクチャと運用スキームの限界を押し広げてきた。この新たな第9世代V-NANDを通じて、今後のAI時代のニーズを満たす高性能、高密度SSD市場のトレンドを作り続けていく」と述べている。