SK hynixは4月19日、TSMCと次世代HBMの生産および高度なパッケージング技術によるロジックとHBMの統合に関して協力していく覚書を締結したと発表した。今回の取り組みを通じて、2026年から量産予定の第6世代HBMファミリーとなる「HBM4」の開発を進める予定としている。

SK hynixは今回の提携により、製品設計、ファウンドリ、メモリプロバイダの三者協力を通じてメモリ性能の画期的な進歩が期待されるとしており、両社の協力の下、HBMパッケージの最下部に搭載されるDRAMのベースダイの性能向上に注力するという。HBMは、TSVを備えたベースダイの上にDRAMダイを積層し、TSVでそれらを接続してパッケージ化することで作成される。また、最下部にあるベースダイはインターポーザー内の配線を介してGPUへと接続される。

  • HBMとAIプロセッサを搭載したSiPのイメージ

    HBMとAIプロセッサを搭載したSiPのイメージ。DRAMベースダイやシリコンインターポーザーを貫くTSVは図示されていない (出所:SK hynixのHB2Eのリリースより抜粋)

SK hynixは、HBM3Eまでの世代におけるベースダイ製造では独自技術を使用してきたが、HBM4のベースダイにはTSMCの高度なロジックプロセスを採用することで、限られたスペースにより多くの機能を詰め込む予定で、これはパフォーマンスと電力効率に対する顧客の幅広い要求を満たすカスタマイズされたHBMを生産するのに役立つとしている。

また、両社はHBMとTSMCのCoWoS(Chip on Wafer on Substrate)技術統合を最適化するために協力するとともに、HBMに関連する一般的な顧客の要求に協力して対応することにも合意したことを明らかにしている。CoWoSは、 GPU/xPU、ロジックチップ、HBMなどをインターポーザー上に接続するTSMC独自のパッケージングプロセス技術。複数のチップが1つのモジュールに統合され、水平(2D)パッケージ基板上に配置されるため、2.5Dパッケージングとも呼ばれている。

SK hynix社長兼AIインフラ責任者のジャスティン・キム氏は「TSMCとの強力なパートナーシップが、顧客とのオープンなコラボレーションの取り組みを加速し、高性能なHBM4の開発に役立つことを期待している。この協力関係の構築により、カスタムメモリプラットフォームの競争力が強化され、トータルAIメモリプロバイダとしての地位を向上していく」と述べている。

一方のTSMCのビジネス開発および海外工場運営担当SVP兼副COO(最高執行責任者)であるケビン・チャン(Kevin Zhang)氏は「両社は長年にわたってパートナーシップを構築し、世界をリードするAIソリューションを提供するために、先端ロジックと先端HBMを統合することで協力してきた。次世代のHBM4を見据えた連携を推進していくことで、顧客に新たなAIイノベーションを実現するための最適な統合ソリューションを提供できると確信している」と述べている。