中Huaweiと同社がひそかに出資も行うなど協業関係にある中国の半導体製造装置メーカーである深圳市新凱来技術(英語名:SiCarrier)は、EUV露光装置ではなくDUV露光装置を用いた自己整合4重パターニング(SAQP)を行うことで、プロセス数は増加するもののEUVリソグラフィ並みの微細パターン形成を可能にする特許を2023年後半に取得していたと米国メディアが報じている。

それによると、米国政府は中国の半導体産業の進歩を阻止するべく規制の強化を図っているが、中国勢は半導体製造技術の改良を進めることで5nmプロセスの製造を可能にする見通しが高まっているという。

SAQP自体は、以前から公知の微細パターニング技術であるため、今回取得した特許はその細部にわたる工夫の部分のようで、SAQPそのものに関連してはすでに多数の特許が他社からも出願されており、中国の知的財産担当の国家知識産権局のデータベースによると中SMIC上海、中SMIC北京、中CXMT、米GlobalFoundries、米Qualcommなどの企業が中国で特許出願を行っているという。

こうした中国勢による半導体技術の微細化が現実的なものとなりつつあることに対し、半導体チップの製造企業だけでなく、半導体製造装置メーカーのShenzhen Pengjin High-Tech(深圳市鵬進高科技)やSiCarrierも米国政府の制裁対象になる可能性が出てきたと米国メディアは伝えている。

なお、SiCarrierは以前からASMLのEUV露光装置を用いない先進露光技術や装置開発をHuaweiとひそか協業して進めている企業として米国政府の調査対象になっていたが、エンティティリストを管理する米商務省が、これらの企業とHuaweiを結び付ける具体的な証拠を持っているかどうかはまだ明らかではないという。