Infineon Technologiesは、TO-Leadless(TOLL)パッケージのトレンチベースのSiCパワー半導体製品「CoolSiC MOSFET」に650V品を追加したことを発表した。

同製品は、サーバ電源、通信インフラ、エネルギー貯蔵システム、バッテリーフォーメーションソリューションなどの用途向けに、低損失、高信頼性、使いやすさを実現するために最適化したことで、厳しい環境下でも顕著な信頼性を示し、繰り返すハードコミュテーションのトポロジーにとって理想的な選択肢となると同社では説明している。

また、CoolSiC MOSFETディスクリートとIGBTモジュールの両方に対応する「.XT相互接続技術」の採用により、熱抵抗(Rth)と熱インピーダンス(Zth)が低減され、それによりデバイスの熱性能を向上させることが可能なほか、寄生ターンオンに強い4V以上のゲートしきい値電圧(VGS(th))ならびに堅牢なボディダイオード、強固なゲート酸化膜(GOX)により、低いFIT(Failure in Time)レートも実現しているともしている。

なお、同製品はすでに注文の受け付けが開始されており、22～83mΩのさまざまなドレイン-ソース オン抵抗(RDS(on))オプションが用意されているという(107、163mΩ、260mΩバージョンはオンデマンドで入手可能)。

  • CoolSiC MOSFET 650V品

    CoolSiC MOSFET 650V品のパッケージイメージ