Bosch、米国でのSiCデバイス製造に向け米半導体企業TSIを買収

独Robert Boschは、米カリフォルニア州ローズビルにあるTSI Semiconductorsを買収すると発表した。買収価格は非公開としている。

TSIは、元々はNECの米国半導体製造拠点として設立されたNECローズビルを母体とする企業で、2011年にルネサスがTELEFUNKEN Semiconductors Internationalに5300万ドルで売却していた。

現在、同社は250人の従業員を擁し、200mmウェハを用いて180nm CMOSプロセスを中心に主にモビリティ、テレコミュニケーション、エネルギー、ライフサイエンス業界向けの受託生産などを行っている。

Boschは、TSIが現在受託している生産品が一段落した後、15億ドル以上の投資を行い、レガシー製造施設を最先端の200mm SiCファブへと更新し、2026年から車載向けパワーSiCデバイスの量産を行う計画としている。ファブの改築に際しては、米CHIPS法による補助金申請を活用することにしている。

Boschは、独ロイトリンゲンとドレスデンにSiCパワー半導体拠点を有しているが、米ローズビルを第3のSiC製造拠点とし、2030年までにSiCパワー半導体のグローバルポートフォリオの拡大を図るとしている。

SiCパワー半導体の競合である米Wolfspeedがドイツに車載SiCパワー半導体向けファブの建設を計画する一方で、独Boschは米国での車載SiCパワー半導体の製造を目指しており、互いに地産地消をめざすビジネス展開を図るなど、ますます競争が激化しそうである。