キオクシアとWestern Digitalは3月30日、第8世代BiCS FLASHとなる218層の3次元NANDフラッシュメモリを発表した。

218層3次元NAND同製品は、4プレーン動作の1TビットのTLCとQLCで展開され、いくつかの独自プロセスやアーキテクチャを導入することで実現した平面方向のスケーリング技術の採用により、前世代比50％以上のビット密度向上を実現したという。また、ウェハボンディング技術を用いて、別々に製造したCMOS回路のウェハとメモリセルアレイのウェハを貼り合わせるCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術を開発。これにより、ビット密度の向上と高速なNAND I/O速度を実現したとしており、そのNAND I/O速度は前世代比で60％増の3.2Gbps以上を実現、20％の書き込み性能改善と読み出しレイテンシの改善も実現するなど、全体的なパフォーマンス、ユーザビリティが向上したとする。

なお、キオクシアでは、両社のパートナーシップによって実現された第8世代BiCS FLASHを発表できることをうれしく思うとし、CBA技術とスケーリングイノベーションを採用することで、スマートフォン、IoT機器やデータセンターまで、さまざまなデータセントリックなアプリケーションにも適応できる3次元NANDフラッシュメモリ技術のポートフォリオをさらに進化させることができたと説明。すでに特定顧客に向けて製品のサンプル出荷を開始していることを明らかにしている。