TI、米国の300mmファブ「LFAB」での生産開始を発表

Texas Instruments(TI)は、2021年にMicron Technologyから買収した米国ユタ州リーハイにある300mmウェハファブ「LFAB」にて、アナログ半導体などの製造を開始したことを発表した。

同ファブのクリーンルーム面積は27万5000ft²(2万5000m²)以上で、同社では今後、長期的に30～40億ドルを投資していく計画としている。

サポートしているプロセスは65nmならびに45nmで、より微細なプロセスにも対応可能だとしているほか、組み込みプロセッサなどのロジックデバイス製造に最適なプロセス技術も提供可能で、本格的な量産時には1日あたり数千万個規模のチップが生産できる見込みだという。

なお、TIはすでにテキサス州ダラスにDMOS6、同州リチャードソンにRFAB1と呼ぶ300mmウェハファブを有しているほか、2022年10月よりRFAB1隣接地に新設したRFAB2でも300mmウェハでのアナログ半導体などの初期生産を開始。今回のLFABのほか、テキサス州シャーマンにも新たに4つの300mmファブの建設を進めており、最初のファブは2025年からの製造開始予定としている。