中国のGaN on SiデバイスメーカーであるInnoscienceは、GaNデバイス用としては現時点で最大口径となる200mm(8インチ)のGaN-on-Siウェハを用いた650Vのエンハンスメントモード(Eモード)GaN HEMTファミリ「650V InnoGaN」を拡充させたことを明らかにした。

  • 8インチGaN-on-SiウェハとGaN HEMT

    8インチGaN-on-SiウェハとGaN HEMT (出所:Innoscience)

これにより同製品群は、ON抵抗が140mΩから600mΩまでの6製品となり、これらはすべてJEDEC認証を取得しているとするほか、定格電圧の80％(520V、150℃、故障率0.01％)で36年の寿命計算を与える加速寿命試験をクリア済みだとしている。

  • 650V InnoGaNパワーデバイスのラインナップ

    650V InnoGaNパワーデバイスのラインナップ (出所:Innoscience)

これらの650V GaN HEMTは、最大200μsの拡張パルス時間で非反復イベントに対して800Vの優れたドレイン - ソース間電圧過渡(VDS、transient)を備え、最大100nsの反復パルスに対してパルス(VDS、pulsed)特性を備えているとする。また、これらのデバイスはすべて、ダイにESD保護回路を搭載しており、大量生産時の組み立てならびに取り扱いを容易にしているともする。

なお、これらの製品はいずれも8mm×8mmおよび5mm×6mm DFNパッケージで提供されているという。