onsemiは8月16日、シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体の生産能力増強に向け、米ニューハンプシャー州ハドソンのSiC生産施設の拡張を実施し、拡張施設の落成に際してテープカット式典を12日に開催したと発表した。

  • 米ハドソンで行われたテープカット式典の様子

    米ハドソンで行われたテープカット式典の様子(出典:onsemi)

SiCの市場規模は、2021年の20億ドルから2026年に65億ドルまで、年平均成長率約33%で成長すると予測されている。

onsemiは、電気自動車(EV)、EV充電、エネルギー基盤の効率化において重要なSiCパワー半導体の垂直統合生産を行っている。同社は今回の施設拡張により、2022年末までにSiCブールの生産能力を前年比5倍に拡大し、ハドソンに勤務する従業員数を約4倍に増加させるという。

また今般の拡張により、SiC粉末とグラファイト原料の調達から、パッケージ化されたSiCデバイスの納入までの包括的なSiC製造サプライチェーンをコントロールすることが可能になり、顧客に対して製品の供給保証を提供できるとしている。

onsemiは、基板生産能力の増強に向けて今後も生産施設の増設を続けるとのことだ。