SK Hynixは8月1日、DDR5 DRAMベースのCXL(Compute Express Link)メモリを開発したことを発表した。

このCXLメモリのフォームファクターはEDSFF(Enterprise & Data Center Standard Form Factor) E3.Sで、PCIeGen5.0×8レーンをサポートし、DDR5 DRAMとCXLコントローラで構成される。

今回開発されたCXLメモリは、最新のDRAMプロセスとなる1a-nmで製造された24GビットDDR5 DRAMで構成された 96GB品で、同社は、帯域幅と容量を柔軟に構成し、費用対効果の高い方法で拡張できるこの製品に高い顧客満足度を期待しているとし、2023年より大量生産を開始する計画としている。

  • DDR5 DRAMベースのCXLメモリ

    DDR5 DRAMベースのCXLメモリとその適用イメージ (出所:SK Hynix)

CXLメモリ専用のHMSDKを開発

また同社は、CXLメモリデバイス専用のHeterogeneous Memory Software Development Kit(HMSDK)を開発し、2022年の第4四半期にオープンソースとして配布予定であることも明らかにしている。

異なるグレードのメモリを1つのシステムで動作させることができるソフトウェア開発キットで、システムパフォーマンスを向上させ、さまざまなワークロードを実行しながらシステムを監視するための機能が含まれているという。

なお、SK Hynixでは、評価用のサンプルを用意し、顧客が簡単に評価できるようにしているが、現在、EDSFF E3.S ×8レーンをサポートするサーバがないため、専用サンプルのEDSFFピンをPCIeに置き換え、顧客が既存のPCIeスロットにサンプルを導入できるようにしているとするほか、8月初旬のFlash Memory Summit、9月末のIntel Innovation、10月のOpen Compute Project(OCP) Global Summitなど、今後の複数のイベントで製品展示とHMSDKのデモを行う予定としている。