富士通セミコンダクターメモリソリューション(FSM)は、同社のFRAM製品では初めてとなる100兆回の書込み回数を保証した製品として、パラレルインタフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2TA」のサンプル提供を開始したことを11月17日に発表した。

  • MB85R8M2TAのパッケージ

    MB85R8M2TAのパッケージ(出典:富士通セミコンダクターメモリソリューション)

同製品の動作電流は最大18mA(従来品よりも10％削減)、スタンバイ電流は最大150µA(同50％削減)と高速動作と低消費電力を両立させた不揮発性メモリになっているという。

  • 比較

    同社従来品とMB85R8M2TA(新製品)の電流比較(最大値)(出典:富士通セミコンダクターメモリソリューション)

同製品は、1.8V～3.6Vのワイドレンジ電源電圧で動作し、アクセススピードは、高速のページモードを使用することにより最大25nsで動作するため、連続したデータ転送をする場合にはSRAMと同等の高速アクセスが可能。これまでSRAMが使われていた高速動作を必要とする産業機械にも適用できる製品だとしている。

  • 課題

    SRAMを不揮発性メモリに置き換えるときの課題(出典:富士通セミコンダクターメモリソリューション)

同社は2018年6月からパラレルインタフェースの8MビットFRAM「MB85R8M2T」を提供してきたが、「書換え耐性を10兆回からさらに増やして欲しい」「SRAMと同等の高速動作にして欲しい」「SRAMと同じTSOPのパッケージ形態で提供して欲しい」といったユーザーの声を受け、低消費電力化も実現した後継品として、今回の8Mビット品「MB85R8M2TA」を開発したとのことだ。

なお、パッケージは、48ピンFBGAに加えて、従来の4Mビット品からの置き換えが容易な44ピンTSOPの2種類が用意されている。