Samsung、EUV適用の14nm採用16GビットLPDDR5X DRAMを開発

Samsung Electronicsは、EUVリソグラフィによる14nmプロセスを用いて16GビットのLPDDR5X DRAMを開発したと発表した。

LPDDR5X DRAMのデータ処理速度はLPDDR5の6.4Gbpsと比べ1.3倍以上高速となる最大8.5Gbpsで、14nmプロセスを採用することで消費電力も約20％低減することを可能にしたという。

また、メモリパッケージあたり最大64GBを搭載することができるため、需要が増すモバイルDRAMの大容量ニーズに対応することも可能だとしているほか、Samsungでは、5G、人工知能(AI)、メタバースなどの高速データサービスアプリケーションに最適な仕様だとしている。

• EUVリソグラフィによる14nmプロセスを用いた16GビットLPDDR5X DRAM