Samsung、第6世代V-NANDを採用したデータセンター向けSSDの量産を開始

Samsung Electronicsは、ハイパースケールデータセンター向けSSDの最新製品となる「PM9A3 E1.S」の量産を開始したことを発表した。

PM9A3シリーズはOpen Compute Project(OCP)のNVMeクラウドSSD仕様に準拠したもので、同社の第6世代V-NANDで製造され、第5世代V-NANDベースの前世代品比でシーケンシャル書き込み速度は2倍となる3000MB/s、750K IOPSのランダム読み取り速度は同40％の高速化、160K IOPSのランダム書き込み速度は同150％の高速化をそれぞれ果たしたという。

また、電力効率についてもシーケンシャル書き込みで前世代比で約50％の向上となる283MB/s/wを達成しており、同社では2020年に発売されたサーバ向けHDDをすべて同製品(4TB品)に置き換えると、1484GWhの電力を節約できるようになると説明している。さらに、製品としても消費電力8.25WのM.2フォームファクターから35WのEDSFFフォームファクターまで、さまざまなフォームファクターとインタフェースに対応するラインアップを揃えたとしている。

このほか、ユーザーデータの暗号化や認証などの標準的なセキュリティ機能に加えて、堅牢なデータ保護を確保するためのセキュアブート機能やアンチロールバックメカニズムも備えているという。