Nexperiaは11月19日(欧州時間)、GaN FET市場へと参入を表明。第1弾製品として、自動車、通信インフラ、産業用市場向けに電圧650Vの「GAN063-650WSA」を発表した。

同社のGaN FETは、GaN-on-Siプロセスを採用することで、既存のシリコン半導体の製造設備を活用することで高い拡張性を確保したほか、業界標準のTO-247パッケージで提供できるため、カスタマはこれまでのノウハウでGaNデバイスの性能を活用することができるようになるという。

その性能は、ゲート・ソース電圧(VGS)±20V、-55℃～+175℃の温度範囲、ドレイン-ソース間オン抵抗(RDS(on))60mΩで、GaNデバイスであるため、高速スイッチングや高効率といった特長も有しているとする。

なお、同社では今後も電気自動車(EV)向けを中心に、GaN製品を増やしていく予定としている。

  • Nexperia

    GaN FETのパッケージと活用イメージ