NXPセミコンダクターズは、6月4日～9日に米国ハワイ州ホノルルで開催されたInternational Microwave Symposium(IMS)に出展し、同社ブースにおいて多数のセルラー・インフラ・ソリューション/技術とともに、新しい5Gセルラー基地局コンセプトを紹介したことを発表した。

同社は、5G New Radio(NR)に必要とされるサイズ、出力、周波数帯をサポートする専用のパワーアンプ(PA)ソリューションを提供しており、そのRF高性能セルラー・インフラ製品/技術は、主なセルラー・インフラOEMの5G NR向け製品設計にすでに採用されている。5G NR標準の採用により、将来はGaNの使用がさらに普及すると予測されている。

また、同社はGaN技術の普及実現に注力しており、2015年～2016年にかけてGaN RFトランジスタのラインナップを2倍以上に増やした。2017年もGaN製品ラインナップの拡大を続けており、産業/防衛市場向けにさまざまな出力範囲のフルGaNラインナップの提供が可能になるとしている。

また、RFシリコンLDMOS製品はセルラー基地局で広く普及しており、最新世代製品は効率、ゲイン、熱特性、信号帯域幅の大幅な性能向上を実現している。これにより、5G向け次世代マクロ基地局とスマート・モビリティ・ソリューションの技術要件への対応が可能になっているということだ。

同社では、次世代ネットワークのカバレッジ、能力、速度の向上のため、無線通信企業はマクロセルに加え、スモールセルを使うネットワークの高密度化が必要になると考えているとしている。また、同社のスモールセル向けソリューションは、こうしたシステムレベルの進化を可能にする高度な統合レベルと小フォームファクタを実現している。NXPは、周波数が700～3800MHzの高出力対称/非対称ICの製品ラインナップを提供しており、3Gから4Gへ、さらには5Gへの移行に対応しているということだ。

NXPのRFパワー担当上席副社長兼ゼネラル・マネージャーのPaul Hart氏は「社会に与える影響の観点から見て、5Gは私たちが近い将来目にする最大の単一技術革新となり、将来のコネクテッド・ワールドを実現する可能性を秘めています」と述べ、さらに「NXPは60年にわたり、この分野で技術革新を続けてきました。今年のIMSで私たちは、新しいGaNとシリコンLDMOS製品を通じて5G実現のカギとなる革新的技術を紹介できることを楽しみにしています」と述べている。