米GLOBALFOUNDRIESは6月13日(米国時間)、7nm Leading-Performance(LP) FinFETプロセスを用いた最初の生産を2018年上半期に立ち上げること、ならびに2018年下半期に同プロセスの量産対応を開始することを発表した。

同プロセスは、プレミアム・モバイル・プロセッサ製品やクラウドサーバ、ネットワーキング・インフラストラクチャといったアプリケーションでの性能要求を満たすことを目指し、基本性能を14nm FinFETプロセス比で40%向上することができるほか、同一性能であればチップ面積を半減することができるとしている。

製造は、米国ニューヨーク州サラトガ群に設置されているFab8が担当。同Fabでは、14nm FinFETプロセスでの量産が行われているが、それに続いて7nmが採用されることとなる。ちなみに、同7nmプロセスは、2015年に同社の研究パートナーであるIBMが中心となり、Samsung Electronicsと共同で開発されてきたプロセス技術をベースとしたものとなるという。

なお、同プロセスの初期立ち上げの段階では、当初の予定通りArF液浸リソグラフィのマルチパターニングで提供されるが、2017年下半期中にASMLのEUVリソグラフィ装置2台が同Fabに導入される予定で、量産プロセスが確立次第、EUVの適用を開始する計画としている。

今回のGFの発表により、すでに先行しているTSMC、Samsungを併せて大手ファウンドリ3社が2018年中に7nmプロセスを顧客に提供することとなる。ファウンドリサービスの拡充を図りたいIntelは出遅れている感があり、今後の動きが注目されることになるだろう。