NXP Semiconductorsは、同社RFパワートランジスタ「Airfast」の第3世代製品(Airfast 3)として、携帯電話のマクロ基地局向けLDMOSトランジスタ4製品を発表した。

これら第3世代品は、従来の第2世代品比で、最大4%の効率向上、20%の熱特性向上、最大90MHzのフル信号帯域、最大30%のスペース低減を実現しており、高いRF出力回路に求められるフットプリントの削減を可能とする。

なお、非対称ドハティ・アンプ・アーキテクチャ向けAirfast 3 LDMOS RFパワー・トランジスタ4製品の特長は以下の通り。いずれもすでにサンプル出荷を開始しており、2016年第4四半期中の量産開始を予定しているという。

  • A3T18H450W23S:1805～1880MHz、89Wの平均RF出力、17.2dBのゲイン、51%の効率
  • A3T18H360W23S:1805～1880MHz、56Wの平均RF出力、17.5dBのゲイン、53%の効率
  • A3T21H450W23S:2110～2200MHz、89Wの平均RF出力、15.5dBのゲイン、49.5%の効率
  • A3T26H200W24S:2496～2690MHz、37Wの平均RF出力、16.3dBのゲイン、50%の効率

Airfast 3 RFパワー・トランジスタ4製品のパッケージ外観