Dialog、TSMC 650V GaN on Siプロセスを採用したパワー半導体を発表

Dialog Semiconductorは8月25日(英国時間)、TSMCの650V GaN on Siliconプロセス技術を採用したGaNパワーIC「SmartGaN DA8801」を発表した。

同製品は、ゲート駆動回路やレベルシフト回路などのビルディングブロックと650Vのパワースイッチを集積しており、最大94%の電力効率で電力損失を最大50%低減するソリューションを提供する。これにより、電源サイズは従来ソリューション比で最大50%の小型化することが可能となり、標準的な45W設計を25W以下のフォームファクタに収めることができるようになるという。

なお同社では、同製品を民生機器、特に携帯機器市場に向けて提供していく予定としており、急速充電やコンピュータ用アダプタ分野での普及を目指していくとしている。