Lam、次世代メモリへの道を開く低フッ素タングステンALDプロセスを開発

Lam Researchは8月9日(米国時間)、タングステン成膜ソリューション「ALTUSシリーズ」の最新ラインアップとしてフッ素濃度の低いタングステン膜の生成を実現するALDプロセス装置「ALTUS Max E シリーズ」を発表した。

3D NANDのメモリセル層の積層数が増えるにつれ、ワードラインのタングステン埋め込みには、タングステン膜から絶縁膜に拡散するフッ素が物理的な欠陥を発生させること、ならびに48層を超すデバイスでは蓄積ストレスによる過度なウェハのボーイングが生じるという課題が生じており、タングステン膜のフッ素量や内在応力の低減が求められていた。

同装置は、低フッ素タングステン(Low-Fluorine Tungsten:LFW)ALD機能により、そうした課題の解決を可能俊、結果として3D NANDやDRAMのさらなる微細化を可能とするもの。従来のCVDによるタングステン成膜に比べ、フッ素量は1/100、膜抵抗30%減を実現するという。

なお、すでに複数の3D NANDやDRAMメーカーの量産現場や研究開発拠点にて採用が進んでいるという。