ST、スーパー・ジャンクション型の1500V耐圧パワーMOSFETを発表

STMicroelectronicsは、システムの電力効率を最大化するのと同時に堅牢性や安全性を拡張するパワーMOSFETファミリ「MDmesh K5」を発表した。

同ファミリは、同社のスーパー・ジャンクション技術のメリットと、1500Vのドレイン・ソース間ブレークダウン電圧を組み合わせた製品群で、単位面積あたりのオン抵抗(R(ds(on)))およびゲート電荷(Q(g))を低く抑えることで、高いFoM(Figure of Merit:性能指数)を達成したとする。

すでにドレイン電流7A品ならびに14A品の2製品の量産出荷が開始されており、いずれもTO-247パッケージで提供される。単価は、1000個購入時で約14ドルとしており、アジア、欧州、米国の主要顧客より、受注獲得済みだという。