Infineon Technologiesとパナソニックは3月10日、両社でGaNパワーデバイスを開発することに合意したと発表した。

シリコン基板上(オンシリコン)に実現したパナソニックのノーマリオフ(エンハンスメントモード)GaNパワーデバイス構造をベースにInfineonの表面実装(SMD:surface-mounted device)パッケージに組み込む。これに関連して、パナソニックはInfineonへノーマリオフGaNトランジスタ構造のライセンスを提供する。

今回の合意により両社それぞれが高性能なGaNデバイスを製造できるようになる。ユーザーにとってはパッケージ互換のGaNパワースイッチを、これまで他のGaNオンシリコン デバイスではできなかった2社から調達できる利点がある。

両社は2015年3月15日から19日に米国ノースカロライナ州シャーロット市で開催されるApplied Power Electronics Conference and Exposition(APEC)にDSO(Dual Small Outline)パッケージの600V 70mΩサンプルを展示する。