ON Semiconductorは11月20日、耐放射線ASIC(特定アプリケーション向け集積回路)を商品化するためにICsとライセンス/開発契約を締結したと発表した。

同契約のもと製造される耐放射線性設計(RHBD)ASICは、オン・セミコンダクターのONC110 110nmプロセスがベースとなる予定。RHBD ASICの商品化により、ITARコンプライアンス、DMEAによるTrusted Supplier認証、DO-254準拠など、ICsの軍事および航空製品の提案範囲の拡大につながる。

放射線試験では、ASICに関しては100 MeVcm2/mgを超えるオンセット線エネルギー付与(LET)、デュアルポートのSRAMに関しては40 MeVcm2/mgのダブルビット・アップセット耐性という、強力なシングル・イベント・アップセットとシングル・イベント・ラッチアップ耐性が示されたという。また、SRLフリップフロップは、最大700メMHzの周波数のシングル・イベントの影響に対して強い耐性を示した。

これらの新しいRHBD ICの対象となるのは、宇宙探査、衛星通信および監視、アビオニクス、無人航空機、民間航空機、原子力エネルギー、素粒子物理研究、軍事機器などの高信頼性アプリケーション。ON Semiconductorは、「今回のICsとの包括的な契約により、ON Semiconductorは、多数のロジックゲートと小型のプロセス技術に加え、放射線被ばくによる故障に対して広範囲に保護されたASICを求めるお客様の要望に応えることができます。当社は、信頼されるパートナーとしてのステータスおよび非常に安全な開発フローを提供できる能力を既に有しており、今回RHBD製品が製品群に加わることにより、データおよびIPの整合性が最も重要な幅広い航空、軍事、および宇宙探査プログラムをサポートできるようになりました」とコメントしている。