AMAT、低コストで高アスペクト比のTSVを実現する次世代PVD装置を発表

半導体製造装置メーカー大手であるApplied Materials(AMAT)は5月28日(米国時間)、3次元半導体を低コストで製造することが可能となる新型の「Endura Ventura PVD」を発表した。

同装置を用いると、シリコン貫通ビア(TSV)内部に薄い連続的なバリアシード層を形成することができるようになるほか、バリア材にチタンを利用することも量産レベルで可能となり、さらなるコストダウンを図ることができるようになるとのことで、これにより従来の銅配線PVD装置に比べて、バリアシード層の形成コストを最大50%低減することが可能になるとする。