東芝は4月23日、15nmプロセスを採用した2ビット/セルの128Gビット(16GB)のNAND型フラッシュメモリを開発、2014年4月末より、同社四日市工場第5製造棟にて量産を開始すると発表した。
15nmプロセス品は、プロセスの微細化に加え、周辺回路の工夫により世界最小クラスのチップサイズを実現。また、同社の19nm第2世代品比で、書き込み速度はほぼ同等としながら、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さとなる533Mbpsを実現したという。
なお同社では、同プロセスを採用した3ビット/セル品も2014年第1四半期中に量産を開始する計画としており、平行して開発している高性能NANDコントローラと組み合わせることで、スマートフォンやタブレットPCなどに展開していく予定としている。