東芝、耐圧600Vの高速スーパージャンクションMOSFET製品3製品を発表

東芝は3月20日、同社の第4世代のスーパージャンクション構造を採用した耐圧600VのMOSFET「DTMOSIV」の高速スイッチングシリーズ「DTMOSIV-H」3製品について、2014年3月31日から量産を行うことを発表した。

3製品は、従来の「DTMOSIV」製品のオン抵抗を維持しつつ、ゲート・ドレイン間の寄生容量(荷電量)を45%低減させることで、切り替えをより高速に行えるようにしたもの。

また、シングルエピタキシャルプロセスの採用により高温時のオン抵抗の上昇を低減しており、サーバや通信基地局向けなどの高効率スイッチング電源のほか、太陽光インバータ用パワーコンディショナへの適用も可能だと同社では説明している。

なお同社では、今後、同シリーズのパッケージラインアップの拡大を進めていく計画と説明している。