NXP、LFPAK56パッケージを採用した車載向けバイポーラトランジスタを発表

NXP Semiconductorsは、5mm×6mm×1mmの薄型LFPAK56(SOT669)SMDパワープラスチックパッケージに封入したバイポーラトランジスタシリーズを発表した。

同ポートフォリオは、コレクタ電流最大3A(IC)、ピークコレクタ電流最大8Aの60Vおよび100Vの低飽和トランジスタで構成されており、3W(Ptot)の許容損失および低VCEsat値を特長とし、熱および電気的性能はDPAKなどの大型パワーパッケージに封入されたバイポーラトランジスタと同程度ながら、フットプリントを半分以下に抑えることが可能となっている。

また、同パッケージでは、競合製品の多くのDPAKが採用しているワイヤボンドを使用しないことで、機械的な堅牢さと信頼性を実現したという。

さらに、これらの製品はAEC-Q101に準拠しており、最高175℃の周囲温度で使用される広範囲の車載アプリケーションに適用することが可能となっている。

なお、同パッケージを採用したバイポーラトランジスタ製品はすでに量産出荷を開始しているが、今後1年の間に拡張され、ダブルトランジスタのLFPAK56D、および6A、10A、15Aという高電流タイプのLFPAK56が追加で市場投入される予定だという。