ST、小型かつ堅牢な650V/800V耐圧のパワーMOSFETを発表

STMicroelectronicsは2月3日、2種類の新しいパワーパッケージを導入し、高電圧パワーMOSFETのうち、3ファミリを拡張したと発表した。

同製品により、バッテリ充電器、太陽光発電システム用マイクロインバータ、コンピュータ用電源など、消費電力の低減が必要な機器をさらに小型・堅牢化し、信頼性を高めることができる。PowerFLAT 5x6 HV/PowerFLAT 5x6 VHVパッケージは、標準的な100V耐圧のPowerFLAT 5x6パッケージと同様のフットプリント(5mm×6mm以内)で最大650/800V耐圧での動作を実現するために必要な絶縁距離・空間を提供する。一般的なDPAKパッケージのフットプリントより52%小さくなっている。さらに、パッケージの高さは1mmで、基板のサーマルビアへの放熱を最大化する大型のエクスポーズドドレインパッドを備えている。これらの特徴の組み合わせることにより、高耐圧性、耐久性、信頼性、およびシステムの電力密度を同時に向上させることができる。

具体的には、PowerFLAT 5x6 HVパッケージで提供される650V耐圧MOSFET「MDmesh V」ファミリ3品種、PowerFLAT 5x6 VHVパッケージで提供され、極めて高い電圧定格に最適化された800V耐圧MOSFET「SuperMESH 5」ファミリ4品種を発表した。価格は1000個購入時で、PowerFLAT 5x6 HVを採用した「MDmesh V」ファミリの「STL12N65M5」が2.20ドル、PowerFLAT 5x6 VHVを採用した「SuperMESH 5」ファミリの「STL2N80K5」が1.50ドル。さらに、PowerFLAT 5x6 HVパッケージを採用した高速スイッチングの600V耐圧MOSFET「MDmesh II Plus Low Qg」ファミリ2品種のサンプル出荷も開始した。