ザインエレクトロニクスは12月12日、10Gbpsの高速伝送が可能な新たなインタフェースに関する要素技術を開発したことを発表した。

今回、開発された技術は、130nmプロセスを用いて10Gbpsの速度を実現したもので、低コストな製造が可能であるほか、より微細なプロセスを選択する場合、さらなる高速化へ対応を図ることが可能だという。

同高速インタフェース回路は、独自に開発したプリエンファシスとイコライザの技術に加えて、内部回路の高速化を実現するとともに、HBM 8kV 以上のESD耐性の保持やEMIノイズの原因となる放射の抑制にも成功しており、これらにより、従来の技術では難しかった高速化とノイズ耐性を両立を実現したという。

同社では、同技術を適用したインタフェース製品を、民生機器、事務機器、アミューズメントや産業機器、通信端末機器、車載機器などの分野に向けて提供していくことで、より進んだ高速インタフェースニーズに対応していく方針としている。

なお同技術を搭載した第1弾新製品は、2014年第3四半期にサンプルが出荷される計画だという。