Texas Instruments(TI)は11月21日、スマートフォンやタブレットなどの実装面積に制約のあるモバイル機器向けに、超小型パッケージを採用し、100mΩ未満のオン抵抗を実現したMOSFET「FemtoFET」ファミリ6品種を発表した。

同ファミリは、それぞれ3品種のNチャネル製品とPチャネル製品で構成されている。パッケージには1.0mm×0.6mm×0.35mmサイズのLGAを採用、CSPと比較して、基板面積を最大40%低減した。また、「CSD17381F4/25481F4」はオン抵抗が100mΩ未満と、競合製品に対して70%低減している。6品種は全て4000Vを超える人体モデル(HBM)静電気放電(ESD)保護機能を提供する。この他、連続ドレイン電流範囲は1.5A～3.1Aで、類似製品と比較して2倍強の性能を実現している。

なお、価格は1000個受注時で「CSD17483F4」が0.06ドル、「CSD17381F4」が0.10ドル。すでに、量産出荷を開始している。

TIの100mΩ未満のオン抵抗を実現したMOSFET「FemtoFET」ファミリ