昭和電工、パワー半導体用6インチエピウェハを発売

昭和電工は9月30日、パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハとして、6インチ(150mm)品の量産化技術を確立したほか、4インチ(100mm)品についても低欠陥化を進め、均一性を向上させた新グレード製品の開発を終えたことを発表した。

今回の6インチウェハは2013年初頭よりサンプル出荷を行ってきたもの。今回、量産化技術の確立が確認されたことから、10月より製品仕様を設定し、製品として販売していくことが決定したという。

すでにSiCパワー半導体は、データセンターにおけるサーバ電源や分散型電源、地下鉄車両などへ搭載が進められているが、6インチウェハを用いることで実用化デバイスの低価格化ならびに100A級のSiCデバイスの量産などが進み、電気自動車やハイブリッド車への採用が進むことが期待されると同社では説明している。

なお同社では、今後も製品品質の向上と生産能力の増強に取り組むことで、月産能力を4インチ換算で現在の1500枚から2014年前半には2500枚相当に引き上げていく計画としている。