ST、AEC-Q101に準拠した650V耐圧の車載用パワーMOSFETを発表

STMicroelectronicsは、AEC-Q101に準拠した650V耐圧の車載用パワーMOSFET「STW78N65M5/STW62N65M5」2品種を発表した。

同製品は650V耐圧により、高電圧スパイク発生時における安全マージンが拡大し、車載用電源モジュールと制御モジュールの信頼性を高められる。独自のスーパージャンクション技術MDmesh Vを採用しており、ダイ面積当たりのオン抵抗(RDS(ON))が非常に低い高電圧デバイスの製造を可能にし、パッケージサイズを小型化することができる。今回の2品種では、RDS(ON)がそれぞれ0.032Ωおよび0.049Ωと非常に低く、小型のTO-247パッケージが採用されている。これにより、システムの電力効率と出力密度が向上できたという。また、ゲート電荷(Qg)および入力静電容量が低いため、卓越したQgxRDS(ON)性能指数(FOM)と高性能、高効率スイッチングを実現できる。加えて、優れたアバランシェ耐性により、連続的な高電圧動作の耐久性が向上している。

MDmesh Vは、独自の革新的な垂直プロセス技術と、水平アーキテクチャPowerMESHを統合することで、MDmesh II技術を採用した製品よりも約50%低いオン抵抗を達成したという。

なお、価格は1000個購入時で、「STW62N65M5」が約8.95ドル、「STW78N65M5」が約9.75ドル。すでに、量産を開始している。