テクトロニクス社は、次世代リアルタイムオシロスコープに、IBMの9HP SiGe半導体製造プロセスを採用すると発表した。IBMの第5世代半導体技術と、同社が特許出願をしている非同期タイムインターリーブを融合させることで、70GHzの周波数帯域と優れた信号忠実度が可能になるという。

350GHz以上で動作可能な9HPは、90nm BiCMOSプロセスによるSiGe技術であり、従来の180/130nmプロセスのSiGeに比べ、より高性能、低消費電力、高集積度を実現することが可能となる。

テクトロニクス社の次世代パフォーマンスオシロスコープは、2014年に発表される予定で、リアルタイム周波数帯域70GHz以上の可能性を持った新プラットフォームとして開発が進められており、400Gbps/1Tbpsの光通信、第4世代のシリアルデータ通信のアプリケーションなどで求められる性能と信号忠実度を備えていると動作yでは説明している。

また、今後発表されるオシロスコープは、非同期インターリーブにより、他のメーカーで使用されている周波数インターリーブ手法に比べて優れたS/N比が得られるとも説明している。