東芝、次世代NAND型フラッシュ/3Dメモリ製造向け工場の建設を決定

東芝は7月2日、NAND型フラッシュメモリの次世代プロセス品や三次元構造品(3Dメモリ)の生産スペースを確保することを目的に、同社四日市工場の第5製造棟の第2期工事を2013年8月末から開始することを発表した。

第5製造棟の第1期は2011年7月より稼働を開始しており、スマートフォンやタブレット、エンタープライズサーバ向けSSDなどを中心に需要が増加傾向にあること、中長期的にも市場拡大が見込まれることから今回、第2期工事の実施が決定されたという。

竣工は2014年夏の予定で、製品を効率的に自動搬送するシステムや地震時の揺れを吸収する免震構造を採用するほか、LED照明の全面展開、最新の省エネ製造設備の導入などによる省エネや工場廃熱の有効利用による燃料消費削減などを通してCO₂の排出量を第4製造棟と比較して13%低減することを計画しているという。なお、具体的な設備導入・生産開始時期や生産能力、生産計画などについては、市場動向を踏まえ、今後決定していく予定としている。