Freescale Semiconductorは、2.3/2.6GHz周波数帯域のTD-LTE基地局向けに設計されたRFパワートランジスタ「Airfast」6製品を発表した。

2.3/2.6GHz帯は、2012年に中国政府がTD-LTE技術向けに帯域を割り当てることを発表するなど、将来的に大きな市場になることが見込まれている。6製品は、50～200Wの出力のラインアップとなっており、メトロセル/マクロセル・アプリケーション向けソリューションを実現することが可能だ。

具体的には、2.6GHz LTEバンド向けとして、2496～2690MHz帯域のメトロセル基地局アプリケーション向けの平均消費電力9W品「AFT26HW050S/GS」(非対称ドハティ構成で、47.4dBmのピーク出力を実現。47.1%の効率、14.2dBのゲイン)、2496～2690MHz帯域の高出力メトロセル基地局アプリケーション向けの平均消費電力22W品「AFT26P100-4WS」(対称ドハティ構成で、51dBmのピーク出力を実現。43.9%の効率、15.3dBのゲイン)、2496～2690MHz帯域の中出力マクロセル基地局アプリケーション向けの平均消費電力32W品「AFT26H160-4S4」(非対称ドハティ構成で、52.6dBmのピーク出力を実現。44.4%の効率、15.7dBのゲイン)、2496～2690MHz帯域の高出力マクロセル基地局アプリケーション向けの平均消費電力45W品「AFT26H200W03S」(非対称ドハティ構成で、54.6dBmのピーク出力を実現。44.4%の効率、14.0dBのゲイン)の4製品が提供されるほか、2.3GHz LTEバンド向けとして、インパッケージ・ドハティ・デバイスで、小型サイズながら高い効率を実現する2300～2400MHzセルラー・バンドの高出力マクロセル基地局アプリケーション向け平均消費電力45W品「AFT23H200-4S2L」(非対称ドハティ構成で、54.6dBmのピーク出力を実現。42.8%の効率、15.3dBのゲイン)とドハティ型アンプのメイン/ピーク・トランジスタとして使用可能な「AFT23S170-13S」(クラスAB動作、45Wの平均消費電力、33.9%の効率、18.8dBのゲイン)の2製品が提供される。

なお、AFT26HW050S/GS、AFT26P100-4WS、AFT23H200-4S2L、AFT23S170-13Sの4製品はすでに出荷中となっているほか、AFT26H200W03SとAFT26H160-4S4は、2013年6月末に量産出荷を開始する予定だという。

AFT26HW050Sのパッケージ外観