NXP Semiconductorsは、2.45GHzのISMバンド専用に設計され、RFエネルギーを高効率で制御可能なクリーンな熱源として使用できるRFパワートランジスタ製品のフルラインアップを発表した。

今回発表されたRFパワートランジスタ「BLF2425M」および「BLF25M」シリーズは、同社の最新28V LDMOSプロセス技術をベースとして、2.45GHzのISMバンド向けに最適化されており、12Wから350Wまでの電力レベルをすべてカバーし、従来製品を効率52%以上を実現することが可能だ。

なお、同ラインアップのうち、「BLF2425M6L(S)180P」、「BLF2425M7L(S)140」および「BLF2425M7L(S)250P」はすでに量産を開始しているほか、「BLF25M612(G)」については、すでに一部企業向けにサンプル出荷を開始しているという。

NXPの「BLF2425M7L(S)250P」のパッケージ外観