Infineon Technologiesは、次世代650VスーパージャンクションMOSFET技術を採用した高耐圧製品「CoolMOS C7」を開発したことを発表した。
同製品ファミリは、連続導通モード力率改善回路(CCM PFC)、トゥートランジスタ フォワード(TTF)、ソーラーブーストなど、ハードスイッチング トポロジ向けに最適化された製品で、すべての標準パッケージでTO-247パッケージで19mΩ、TO-220パッケージとD2PAKパッケージで45mΩというクラス最高のオン抵抗(RDS(on))を実現するほか、スイッチング損失が低いため、最大負荷時の効率を改善することができる。
また、高速スイッチング性能によって、100kHzを超えるスイッチング周波数での動作と、サーバのPFC段でのTitaniumレベルの効率性を両立することが可能であり、これにより、受動部品の面積要件が軽減され、電力密度を高めることが可能となる。
さらに、出力キャパシタンスの蓄積エネルギー(EOSS)を削減し、ゲート電荷(Qg)を抑えることで、軽負荷状況下での効率性というメリットも得られると同社では説明するほか、同社のSiCショットキーダイオードの第5世代品「ThinQ!」シリーズ、制御IC「ICE2」/「ICE3」を組み合わせることで、CCM PFC回路において高いパフォーマンスを得ることが可能になるとする。
なお、同製品は、すでにサンプル出荷を開始しており、量産出荷は2013年6月の開始を予定している。