NXP Semiconductorsは、2mm角のDFN(Discrete Flat No-leads:ディスクリートフラットノーリード)パッケージを採用した低飽和電圧ダブルトランジスタ15品種を発表した。すでに量産を開始している。

同製品は、最大2Aのコレクタ電流能力(IC)を備え、最大3Aのピーク電流に対応する。同時に60mV(製品型番「PBSS4230PANP」)まで抑えた低飽和電圧で高効率を実現し、低消費電力でバッテリの長寿命が求められるモバイルアプリケーション向けに最適だと同社では説明している。

また、DFN2020-6パッケージを採用することで、スマートフォンやタブレットなどの携帯機器に搭載されるロードスイッチや電源スイッチ、電力制御、充電回路のほか、バックライトユニットなどの省スペース化が図れる。なお、今回発表したDFN2020パッケージの低VCEsatダブルトランジスタ新製品はすべて車載規格AEC-Q101に準拠している。

中でもDFN2020-6は標準のSO8パッケージの8分の1以下のサイズで優れた熱性能(Ptot=1W)を有するほか、ヒートシンクを備えた厚さ0.6mmの薄型DFNパッケージはSO8やSOT457などほかの多くのトランジスタパッケージに比べて小型で、従来製品からの置き換えが容易にできる。

なおこれらの製品追加により、同社の低VCEsatランジスタ製品は電圧は500V、電流は7Aまで対応する250を超える多彩なシングルタイプにリードレスの標準SMDパッケージに封入された36種類のダブルトランジスタ製品が加わったこととなる。

NXPの2mm角DFNパッケージ採用 低飽和電圧ダブルトランジスタ