東芝は、車載用パワーMOSFET製品として、最新のトレンチMOSプロセスを使って低オン抵抗・低漏れ電流を実現した100V対応の「TK55S10N1」を製品化したと発表した。

同製品は、最新のトレンチMOS第8世代プロセス「U-MOS VIII-H(ユーモスエイトエイチ)」シリーズのチップと、Cuコネクタ接続構造のDPAK+パッケージの採用により、RDS(on)=5.5mΩ(標準)(VGS=10V)の低オン抵抗を実現しており、車載用途の中でも特に高速スイッチングが求められるスイッチングレギュレータなどの用途に適していると同社では説明する。

すでにサンプル出荷を開始しており、4月から量産を開始する予定だという。

東芝の車載用パワーMOSFET「TK55S10N1」