ルネサス、IGBT保護機能を内蔵したIGBTゲート駆動用フォトカプラを発表

ルネサス エレクトロニクスは1月31日、産業機器や太陽光発電システム用のインバータ向けに、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)保護機能を内蔵したフォトカプラ「PS9332L/L2」を開発、2013年2月よりサンプル出荷を開始することを発表した。

インバータ回路など、比較的大電圧を扱う回路を設計する場合、フォトカプラなどの絶縁素子を用いて回路保護を行うことが一般的だ。フォトカプラの種類としては、電源用途などに使用される汎用フォトカプラ(トランジスタ出力)や太陽光発電や汎用インバータなどで使用されるIGBT素子のゲートを駆動するIGBT駆動用フォトカプラなどがあるが、今回発表された製品は、IGBT駆動用フォトカプラの一種で、発光素子であるGaAlAs LEDと受光IC、ならびにIGBT保護用回路で構成され、IGBT素子のゲートを駆動すると同時にIGBT素子が誤動作した際にIGBT素子の故障を保護する機能(アクティブミラークランプ)を内蔵することで、外付け部品を省略することが可能となっている。

また、独自のBiCMOSプロセスを受光ICに採用することで、寄生容量の低減を実現しており、遅延時間を短縮(tPHL、tPLH≦200ns、対従来製品比20%高速化)するとともに、回路の消費電流の低減も実現した(Icc≦2.5mA)。これによりインバータ制御回路の精度向上および低消費電力化を実現したほか、回路の消費電流を低く抑えたことでIGBTを駆動するシステム内の電源の小型化が可能になるという。

さらに、受光チップサイズをアクティブミラークランプ機能内蔵ながら従来品同等サイズに収めることで　8ピンSDIPの小型パッケージの適用を可能とした。これにより、8ピンDIPと比較して実装面積を40%低減することが可能となり、システムの小型化が可能になるという。

加えて、最大動作温度は125℃を実現しており、高温環境下での使用も可能となっている。

なお、同製品は、2013年度上期より量産を開始し、2013年10月には月産100万個規模で生産を行う予定としている。また、サンプル価格は1個あたり160円となっている。