Integrated Device Technology(IDT)は、最大1866MT/sの転送速度で動作可能な、低消費電力DDR3メモリバッファ「MB3518」を発表した。

同製品は、1チャネルに2つのLRDIMM(Load-Reduced Dual-Inline Memory Module)を備えた、動作速度が最大1866MT/sまで可能な低消費電力のDDR3メモリバッファ。32GBの密度でクワッド・ランクのLRDIMMの場合、標準的なサーバの1866 MT/sにおける容量512GBと同じで、2013年に製品化予定の8ランクの64GB LRDIMMを使うことにより2倍の容量(1TB以上)を実現することが可能になるとする。 これは、最も速い速度で相対密度を4倍に改善し、標準のRDIMM(Registered Dual-Inline Memory Module)を超えるレベルであり、これによりコンピューティング・システムがより多くのメモリをサポートすることが可能となり、メモリを活用するアプリケーションの性能を改善することができるようになる。またメモリバッファは、1.5Vまたは1.35Vで動作し、パフォーマンスを犠牲にせずに、低消費電力化を図ることが可能となる。

なお、同製品はリッドおよびノンリッド・オプションの588ピンFCBGAパッケージが用意されており、すでに特定カスタマ向けにサンプル出荷を開始しているという。、

低消費電力DDR3メモリバッファ「MB3518」のパッケージイメージ