安川電機、GaNパワー半導体モジュール搭載パワーコンディショナを開発

安川電機は10月31日、GaNパワー半導体モジュールを搭載した次世代パワーコンディショナを開発し、同社の現行世代品と比較した場合、設置面積で1/2の小形化と、変換効率98%以上を達成したことを発表した。

今回搭載されたGaNパワー半導体モジュールは、同社と米国Transphormが共同で開発したもので、同社が長年培ってきたドライブシステムの回路や構造の技術、そして新たに開発した制御技術を組み合わせることで、パワーコンディショナの効率向上と小形化を実現したという。

電力仕様はDC250V入力/AC200V出力、定格容量4.5kWで、設置面積は体積として約10l、変換効率は最大98.2%(定格時97.5%)だという。

なお同社では今後2年以内の製品化を目指すとしている。