Infineon Technologiesは、第5世代SiCショットキーバリアダイオード「thinQ!」を提供開始すると発表した。

同製品は第3世代から導入している独自の拡散はんだ付けプロセスに加えて、よりコンパクトな設計と先端の薄ウェハ技術を採用。SiCダイオードの旧ファミリとの比較では、熱特性が向上し、性能指数(Qc×Vf)を30%抑えることに成功した。これにより従来製品に比べ、あらゆる負荷状況において、PFC、ブースト回路の効率が改善したという。

第5世代製品は、ハイエンドのサーバ/通信用スイッチモード電源(SMPS)、PCシルバーボックス/LED照明、ソーラーインバータ、無停電電源(UPS)での使用を想定しており、効率の改善に加え、EMIの低減、システムの信頼性向上、クーリングシステムの簡素化によるコスト削減、小型化などに寄与すると同社では説明している。

第5世代品は、第3世代の低い容量性電荷(Qc)値と第2世代の順方向電圧(Vf)水準が組み合わさった性能を実現しており、PFC回路で最高クラスの効率水準を実現することが可能。また降伏電圧水準については、第2/第3世代の600Vに比べ、650Vと高くなっており、これは同社の「CoolMOS」技術の最新世代と同レベルだという。これにより、ソーラーインバータなどのアプリケーションや、性能を要求されるSMPS環境では、安全性に対するマージンが確保できるほか、サージ電流に対する耐性がこれまで以上に高くなったとしている。

なお、同ファミリは、高定格電流製品とTO-247やThinPAKといったパッケージを採用しており、すでにサンプル出荷を開始している。