NXP Semiconductorsは5月23日、独自のTrench 6テクノロジによる車載用パワーMOSFETファミリを発表した。

同製品は、超低RDSonと高いスイッチ性能に加え、独自のTrench 6テクノロジを搭載。AEC-Q101に完全準拠した車載グレード製品で、175℃の製品寿命テストでQ101の要件を超える1600時間以上を達成した他、低いPPMレベルを実現している。

今回、新しい車載用MOSFET製品の第1弾として、30/40/60/80/100Vの電圧向けにRDSon性能を広範囲に実現するD2PAKパッケージで提供される。また今後、製品ポートフォリオの全面的な拡張の一環として、「Power-SO8 LFPAK56」を含む車載向けの全製品をTrench 6に対応させていく計画。これにより、ライト制御から高度なシステム要件が求められるパワートレインや車体、シャーシの電源制御に至るまで、全ての車載向けアプリケーションに対応させることができる。

Trench 6は、前世代のTrenchMOSテクノロジのスイッチ性能をさらに高め、固有のRDSonに対して超低QGDを実現している。さらに、オン抵抗におけるベンチマーク性能と許容値の閾値を組み合わせることによって、あらゆる製品に対してロジックレベルで対応できる。また、高温条件においても確実にMOSFETの完全制御を実現する。

Trench 6テクノロジによる車載用パワーMOSFETファミリ