Infineon、「CoolSiC 1200V SiC JFET」ファミリを発表

Infineon Technologiesは5月14日、「CoolSiC 1200V SiC JFET」ファミリを発表した。

同製品は、IGBTに比べてスイッチング損失を大幅に削減しており、全体的なシステム効率を犠牲にすることなく、より高いスイッチング周波数を実現している。これにより、受動部品の小型化し、ソリューション全体の小型化と軽量化が図れるため、システムコストを削減できる。また、これまでと同じサイズのインバータで、より高出力のソリューションを実現することができる。

今回、常時使用されるJFET技術を安全で使いやすいものとする「ダイレクトドライブテクノロジー」を開発した。JFETを外部の低電圧MOSFETおよび専用ドライバICとともに使用すると、システムの安全な起動と、高速で安定したスイッチング制御を行うことができる。また、モノリシック集積のボディ・ダイオードが採用されており、外部SiCショットキー・バリア・ダイオードに匹敵するスイッチング性能が得られる。

なお、「CoolSiC JFET」と専用ドライバICは、2012年第2四半期中にサンプル出荷を開始する予定。CoolSiCを採用した製品は、2013年第上半期に出荷される見込み。価格は、「IJW120R100T1」(100mΩ)が1000個受注時で24.90ドルを予定している。