三菱電機、14GHz帯で出力100Wを実現したGaN HEMT増幅器を開発

三菱電機は4月25日、Ku帯(12.4GHz～18GHzのマイクロ波帯)衛星通信に使用される14GHz帯で100Wの出力電力が得られるGaN HEMT増幅器を開発したことを発表した。

同製品は、素子微細化と低損失回路により14GHz帯用固体増幅器として従来のGaN品と比べて約2倍、GaAs品とでは約4倍の高出力となる100Wを実現。

これにより高出力化に必要だった複数の増幅器の合成が不要になりマイクロ波送信機の小型化が可能となり、衛星通信地球局などに使用される電力増幅器の大きさは、従来品比約1/6の小型化が可能になるという。